RESISTENZA ELETTRICA A FILO RE-MOS

La capacità bassa e l'induttanza bassa progettano, adatto a frequenze a corrente continua e tecniche, l'alta stabilità < anni eccessivi del ± 0.01% CARATTERISTICHE kΩ 100 del μΩ della gamma 25… Capacità bassa e disegno basso di induttanza Adatto a frequenze a corrente continua e tecniche Alti anni eccessivi del ± < di stabilità 0.01%

Carico nominale 20 W, gamme 1 mΩ 100, principio di misura del quattro-terminale, esattezza 0.02% del mΩ…, per frequenza tecnica 50 hertz CARATTERISTICHE ≤ 10 ppm/K di coefficente di temperatura Carico nominale 20 W Gamme 1 mΩ 100 del mΩ… principio di misura del Quattro-terminale Esattezza 0.02% Per frequenza tecnica 50 hertz

Esattezza 0.005%, coefficente di temperatura <1 ppm/K, simulazione di RTD (pinta, Ni), °C di esattezza 0.02 di simulazione, RS232 (IEEE-488 facoltativo) CARATTERISTICHE Gamma di resistenza da 1.00000 Ω a 1.200000 MΩ Esattezza 0.003% Coefficente di temperatura < 1 ppm/K Simulazione dei sensori di temperatura di RTD (pinta, Ni) °C di esattezza 0.02 di simulazione 2, 3, un collegamento dei 4 legare USB/RS232 (IEEE-488/Ethernet facoltativamente)

≤ 10 ppm/K di TC, ± 0.02% della classe o ± 0.05%, gamma di resistenza 5 dal kΩ di Ω… 100, materiale MANGANIN®, valori standard disponibili dalle azione, valori su ordinazione di resistenza di resistenza disponibili a richiesta, ordine minimo per pc di valore 10 di resistenza CARATTERISTICHE ≤ 10 ppm/K di TC ± 0.02% della classe o ± 0.05% Gamma di produzione 5 dal kΩ di Ω… 100 Resistenza MANGANIN® materiale Valori standard disponibili dalle azione Valori su ordinazione di resistenza disponibili a richiesta Ordine minimo per pc di valore 10 di resistenza